Diplomarbeit, 1998
120 Seiten, Note: sehr gut
Die Arbeit untersucht den Zusammenhang zwischen technologischen Halbleiterparametern und den elektrischen Kenngrößen von Silizium-Solarzellen. Ziel ist es, Sättigungsströme, Wirkungsgrade, Füllfaktor und Kapazitäten zu berechnen, ein SPICE-Modell zu erstellen und Simulationsergebnisse mit Messdaten zu vergleichen. Der Einfluss von Antireflexschichten wird ebenfalls betrachtet.
1. Einleitung und Aufgabenstellung: Dieses Kapitel definiert die Forschungsfrage: die Untersuchung des Zusammenhangs zwischen technologischen Parametern von Halbleitern und den elektrischen Eigenschaften von n*p- und p*n-Silizium-Strukturen. Es skizziert den methodischen Ansatz, der Modellrechnungen, Messungen an Solarzellen und die Entwicklung eines SPICE-Modells umfasst, um die erhaltenen Daten zu analysieren und zu vergleichen.
2. Grundlagen zur Solarzelle: Dieser Abschnitt liefert die notwendigen Grundlagen zum Verständnis der Funktionsweise von Solarzellen. Es werden Aufbau und Wirkungsweise detailliert erläutert, verschiedene Arten von Solarzellen vorgestellt und die Bevorzugung einer n*p-Schichtfolge begründet. Diese Grundlagen bilden die Basis für die anschließenden Modellrechnungen und Messungen.
3. Modellrechnung einer n†p -Silizium-Solarzelle: Hier werden detaillierte Berechnungen der elektrischen Kenngrößen einer n*p-Silizium-Solarzelle durchgeführt. Berechnet werden die Nettostörstellenverteilung, die Sperrschichtgrenzen und -spannungen, die Dunkel- und Hellkennlinien sowie die Sperrschicht- und Diffusionskapazität. Die Variation der Eingangsparameter und deren Einfluss auf die Ergebnisse werden ebenfalls untersucht.
4. Messungen an Bauelementen: In diesem Kapitel werden die durchgeführten Messungen an monokristallinen und polykristallinen Solarzellen und Fotoelementen beschrieben. Es werden sowohl Dunkel- als auch Hellkennlinien unter verschiedenen Bestrahlungsbedingungen aufgenommen und die dynamischen Parameter ermittelt. Die Messungen liefern die empirischen Daten, die mit den Simulationsergebnissen verglichen werden.
5. SPICE-Modell der Solarzelle: Dieses Kapitel beschreibt die Erstellung und Validierung eines SPICE-Modells der Solarzelle. Das Modell wird sowohl auf Basis der Modellrechnungen als auch der Messergebnisse erstellt und simuliert. Die Ergebnisse der Simulationen (Dunkel- und Hellkennlinien sowie Schaltverhalten) werden anschließend miteinander und mit den gemessenen Daten verglichen, um die Genauigkeit des Modells zu bewerten.
6. Aufgaben und Anwendungen mit Solarzellen: Dieser Abschnitt behandelt Anwendungsbeispiele von Solarzellen, beispielsweise als Licht-Frequenz-Wandler. Es werden außerdem Aufgabenstellungen für einen Praktikum-Laborversuch abgeleitet und ein Musterprotokoll vorgestellt. Dies demonstriert den praktischen Nutzen der gewonnenen Erkenntnisse.
Silizium-Solarzelle, n*p-Schichtfolge, Halbleiterparameter, elektrische Kenngrößen, Sättigungsstrom, Wirkungsgrad, Füllfaktor, Kapazität, SPICE-Modell, Simulation, Messung, Dunkelkennlinie, Hellkennlinie, Antireflexschicht, Modellrechnung.
Das Dokument befasst sich mit der Modellierung und Simulation einer Silizium-Solarzelle. Es verbindet theoretische Berechnungen mit experimentellen Messungen und der Erstellung eines SPICE-Modells, um die elektrischen Eigenschaften der Solarzelle zu untersuchen und zu verstehen.
Das Dokument deckt ein breites Spektrum an Themen ab, darunter die Grundlagen der Solarzellentechnologie (Aufbau, Wirkungsweise, verschiedene Arten von Solarzellen), detaillierte Modellrechnungen zur Bestimmung elektrischer Kenngrößen (Dunkel- und Hellkennlinien, Kapazitäten), Messungen an realen Bauelementen (Solarzellen und Fotoelemente), die Erstellung und Validierung eines SPICE-Modells basierend auf sowohl Modellrechnungen als auch Messdaten, sowie Anwendungsbeispiele und die Entwicklung von Praktikumsaufgaben.
Die Modellrechnung beinhaltet die Berechnung der Nettostörstellenverteilung, der Sperrschichtgrenzen und -spannungen, der Dunkel- und Hellkennlinien sowie der Sperrschicht- und Diffusionskapazität einer n*p-Silizium-Solarzelle. Der Einfluss der Variation verschiedener Parameter auf die Ergebnisse wird ebenfalls untersucht.
Es werden Messungen an monokristallinen und polykristallinen Solarzellen und Fotoelementen durchgeführt. Dies umfasst die Aufnahme von Dunkel- und Hellkennlinien unter verschiedenen Bestrahlungsbedingungen sowie die Bestimmung dynamischer Parameter.
Das SPICE-Modell wird sowohl auf Basis der Modellrechnungen als auch der Messergebnisse erstellt und anschließend simuliert. Die Simulationsergebnisse (Dunkel- und Hellkennlinien sowie Schaltverhalten) werden mit den gemessenen Daten verglichen, um die Genauigkeit des Modells zu bewerten.
Schlüsselwörter umfassen: Silizium-Solarzelle, n*p-Schichtfolge, Halbleiterparameter, elektrische Kenngrößen, Sättigungsstrom, Wirkungsgrad, Füllfaktor, Kapazität, SPICE-Modell, Simulation, Messung, Dunkelkennlinie, Hellkennlinie, Antireflexschicht, Modellrechnung.
Das Hauptziel ist die Untersuchung des Zusammenhangs zwischen technologischen Halbleiterparametern und den elektrischen Kenngrößen von Silizium-Solarzellen. Weitere Ziele sind die Berechnung wichtiger Parameter, die Erstellung eines funktionierenden SPICE-Modells und der Vergleich von Simulations- und Messergebnissen. Die Arbeit dient auch der Ableitung von Praktikumsaufgaben.
Das Dokument richtet sich an Studenten, Wissenschaftler und Ingenieure, die sich mit der Modellierung und Simulation von Solarzellen befassen. Es ist insbesondere für Studierende im Rahmen von Praktika oder Studienarbeiten relevant.
Das Dokument ist in mehrere Kapitel gegliedert, beginnend mit einer Einleitung und Aufgabenstellung, gefolgt von Grundlagen zur Solarzelle, Modellrechnungen, Messungen, der Erstellung des SPICE-Modells und schließlich Anwendungsbeispielen und Praktikumsaufgaben. Ein Inhaltsverzeichnis, eine Zusammenfassung der Kapitel und eine Liste der Schlüsselwörter erleichtern die Navigation.
Die detaillierten Ergebnisse der Berechnungen und Messungen sind im Dokument selbst enthalten, insbesondere in den Kapiteln 3 (Modellrechnung) und 4 (Messungen an Bauelementen).
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