Diplomarbeit, 1998
120 Seiten, Note: sehr gut
1. Einleitung und Aufgabenstellung
2. Grundlagen zur Solarzelle
2.1 Aufbau und Wirkungsweise von Solarzellen
2.2 Arten von Solarzellen
2.3 Begründung für eine n+p-Schichtfolge bei Solarzellen
3. Modellrechnung einer n+p-Silizium-Solarzelle
3.1 Nettostörstellenverteilung, Sperrschichtgrenzen und Spannungen
3.2 Berechnung der Dunkelkennlinie
3.3 Berechnung der Hellkennlinie
3.4 Berechnung der Sperrschicht- und Diffusionskapazität
3.5 Variation der vorgegebenen Parameter
4. Messungen an Bauelementen
4.1 Solarzelle
4.1.1 Messung der Dunkelkennlinie
4.1.2 Messung der Hellkennlinie
4.1.3 Dynamische Parameter
4.2 Fotoelement
4.2.1 Messung der Dunkelkennlinie
4.2.2 Messung der Hellkennlinie
4.2.3 Dynamische Parameter
5. SPICE-Modell der Solarzelle
5.1 Erstellen des SPICE-Modells aus den Ergebnissen der Modellrechnung
5.1.1 Simulation der Dunkelkennlinie
5.1.2 Simulation der Hellkennlinie
5.1.3 Simulation des Schaltverhaltens
5.2 Erstellen des SPICE-Modells aus den Meßergebnissen
5.2.1 Simulation der Dunkelkennlinie
5.2.2 Simulation der Hellkennlinie
5.2.3 Simulation des Schaltverhaltens
5.3 Vergleich der erhaltenen Modelle
6. Aufgaben und Anwendungen mit Solarzellen
6.1 Licht- Frequenz- Wandler
6.2 Aufgabenstellungen für einen Praktikum- Laborversuch
7. Zusammenfassung
Die Arbeit untersucht halbleitertechnische Zusammenhänge in n+p- und p+n-Silizium-Strukturen, um durch Modellrechnungen und Messungen ein realistisches SPICE-Modell für Solarzellen zu entwickeln. Das primäre Ziel ist es, durch Variation von Halbleiterparametern ein Verständnis für deren Einfluss auf die elektrische Leistungsfähigkeit zu erlangen und diese Erkenntnisse in die Praxis zu übertragen.
2.1 Aufbau und Wirkungsweise von Solarzellen
Die derzeit handelsüblichen Solarzellen bestehen im allgemeinen aus dem Grundmaterial Silizium. Dabei wird in mehren Arbeitsschritten eine pn-Struktur erzeugt, wie sie in ähnlicher Form bei Dioden oder Transistoren gebräuchlich ist. Im einfachsten Fall besteht eine Solarzelle aus p-leitenden Silizium auf das eine stark n-leitende Schicht, durch Eindiffusion eines Donators (P, As) bei höheren Temperaturen (ca. 850 °C), aufgebracht wird. Die ursprüngliche p-Dotierung des Basismaterials wurde an dieser Stelle überkompensiert und es ist ein sogenannter n+-Emitter entstanden.
Dieser Emitter bildet die vordere, lichtempfindliche Seite der Solarzelle. Auf ihm wird ein Kontakt (Minuspol) in Form einer sogenannten Kammstruktur aufgebracht. Die Basis, also die Rückseite der Solarzelle, wird ganzflächig mit einer leitenden Schicht versehen und ergibt den Pluspol.
Die Größe der auf der Vorderseite erzeugten Kontaktfinger stellt dabei eine sinnvollen Kompromiß zwischen Abschattung der lichtempfindlichen Fläche und dem Serienwiderstand der Solarzelle dar. Je mehr Kontaktfinger erzeugt werden, desto stärker wird die lichtempfindliche Fläche abgedunkelt, aber um so kleiner wird der Serienwiderstand und umgekehrt. Der Einfluß auf die I-U-Kennlinie ist in Abbildung 2-2 dargestellt.
Das auf eine Solarzelle auftreffende Licht kann reflektiert, transmittiert oder absorbiert werden.
1. Einleitung und Aufgabenstellung: Einführung in die Thematik der Photovoltaik und Definition der wissenschaftlichen Aufgabenstellung für die Diplomarbeit.
2. Grundlagen zur Solarzelle: Erläuterung der physikalischen Funktionsweise und Darstellung des grundlegenden Aufbaus von handelsüblichen Silizium-Solarzellen.
3. Modellrechnung einer n+p-Silizium-Solarzelle: Mathematische Herleitung und Ermittlung von Halbleiterparametern zur Beschreibung der Solarzelleneigenschaften.
4. Messungen an Bauelementen: Empirische Überprüfung der Modellrechnungen durch Strom-Spannungs-Messungen an realen Solarzellen und Fotoelementen.
5. SPICE-Modell der Solarzelle: Umsetzung der theoretischen Modelle und Messdaten in eine simulationsfähige Umgebung zur rechnergestützten Analyse.
6. Aufgaben und Anwendungen mit Solarzellen: Dokumentation der praktischen Realisierung eines Licht-Frequenz-Wandlers und Ableitung von Laboraufgaben.
7. Zusammenfassung: Abschlussbetrachtung der erzielten Ergebnisse und Bewertung der entwickelten Modelle.
Photovoltaik, Silizium-Solarzelle, Modellrechnung, SPICE-Modell, Dunkelkennlinie, Hellkennlinie, Sperrschichtkapazität, Diffusionskapazität, Wirkungsgrad, Halbleiterparameter, Licht-Frequenz-Wandler, Ladungsträgerbeweglichkeit, pn-Struktur, Serienwiderstand, Parallelwiderstand.
Die Arbeit befasst sich mit der halbleitertechnischen Analyse und Modellierung von Silizium-Solarzellen, um deren elektrisches Verhalten präzise abzubilden.
Die Arbeit deckt die physikalischen Grundlagen, die mathematische Modellierung von Kennlinien, experimentelle Messungen an Bauelementen sowie deren computergestützte Simulation ab.
Ziel ist es, ein funktionsfähiges SPICE-Modell zu erstellen, das sowohl auf Modellrechnungen als auch auf realen Messwerten basiert, um Solarzellenverhalten am PC simulieren zu können.
Es werden mathematische Modellrechnungen, experimentelle Labormessungen an Solarzellen und Fotoelementen sowie Schaltungssimulationen mit DesignLab (SPICE) verwendet.
Der Hauptteil umfasst die detaillierte Berechnung der Kennlinien, die Analyse der Sperrschicht- und Diffusionskapazität sowie den Vergleich von theoretischen Modellen mit realen Messdaten.
Wichtige Begriffe sind Photovoltaik, n+p-Struktur, Sättigungsstrom, Wirkungsgrad, Sperrschichtkapazität und der Geometriefaktor.
Die Bevorzugung basiert auf der höheren Ladungsträgerbeweglichkeit der Elektronen gegenüber Löchern und dem daraus resultierenden geringeren Halbleiterwiderstand.
Der Geometriefaktor beschreibt den Einfluss der endlichen Bauelementegeometrie auf den Sättigungsstrom und ist entscheidend für eine genaue Modellierung.
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