Untersuchung und Reduzierung des Leckstroms integrierter Schaltungen in Nanometer-Technologien bei konstanten Performanceanforderungen

Inhaltsverzeichnis

• Danksagung
• Kurzreferat
• Kapitel 1: Einleitung
• 1.1 Problemstellung
• 1.2 Zielsetzung
• 1.3 Aufbau der Arbeit
• Kapitel 2: Grundlagen
• 2.1 Leckströme in Nanometer-Technologien
• 2.2 Bestehende Ansätze zur Leckstromreduzierung
• Kapitel 3: Der "Mixed Gates"-Ansatz
• 3.1 Grundidee
• 3.2 Implementierung
• 3.3 Algorithmen zur Gatterzuweisung
• Kapitel 4: Simulation und Ergebnisse
• 4.1 Simulationsumgebung
• 4.2 Ergebnisse und Diskussion
• Kapitel 5: Zusammenfassung und Ausblick

Zielsetzung und Themenschwerpunkte

Die vorliegende Arbeit untersucht Techniken zur Reduzierung von Leckströmen in integrierten Schaltungen auf Basis aktueller Nanometer-Technologien, bei gleichzeitiger Beibehaltung der Performance. Ein Schwerpunkt liegt auf der Entwicklung und Evaluierung des neuartigen "Mixed Gates"-Ansatzes.

• Entwicklung des "Mixed Gates"-Ansatzes zur Leckstromreduzierung
• Vergleich des "Mixed Gates"-Ansatzes mit bestehenden DxCMOS-Techniken
• Entwicklung und Implementierung von Algorithmen zur optimalen Gatterzuweisung
• Simulation und Analyse der Ergebnisse
• Bewertung der theoretischen Grenzen des Ansatzes

Zusammenfassung der Kapitel

Das Kurzreferat fasst die wesentlichen Punkte der Arbeit zusammen. Die Kapitel 1-4 befassen sich mit der Problemstellung, den Grundlagen, der Entwicklung und Implementierung des "Mixed Gates"-Ansatzes, sowie der Simulation und Auswertung der Ergebnisse. Die einzelnen Kapitel liefern detaillierte Informationen zu den jeweiligen Aspekten des entwickelten Ansatzes und seinen Vorteilen gegenüber bestehenden Technologien. Nähere Einzelheiten zu den Ergebnissen und Schlussfolgerungen werden im vollständigen Text der Dissertation dargestellt.

Schlüsselwörter

Leckstrom, Nanometer-Technologien, integrierte Schaltungen, DxCMOS, "Mixed Gates"-Ansatz, Gatterzuweisung, Leistungsverbrauch, Transistor-Bibliothek, Simulationsergebnisse, Performance.