Masterarbeit, 2011
112 Seiten, Note: A
The research focused on n-type CdxZn1-xS (cadmium zinc sulphide) and p-type PbS (lead sulphide) thin films.
The Chemical Bath Deposition (CBD) technique was utilized for preparing both CdxZn1-xS and PbS thin films.
Increasing the zinc concentration leads to an increase in the optical band gap and electrical resistivity of the CdxZn1-xS alloy.
It has a wide band gap and high transmittance (above 79%), meaning it absorbs very little radiation and allows light to pass through to the absorber layer.
PbS films acted as the absorber layer with a band gap of 0.89 eV and a transmittance below 55%.
The cell achieved an efficiency of 0.9%, an open-circuit voltage (Voc) of 0.37V, and a fill factor (FF) of 0.66, confirming the materials' potential for solar energy conversion.
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